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飛秒雷射在材料微細加工的應用4
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1. 前言1960年美國物理學家TH梅曼製造了世界上第一台紅寶石雷射器,從此人們便可獲得優良單色性、方向性好、高亮度的光。原子受激輻射產生的光,即“激光”,是二十世紀人類最偉大的發明之一。雷射廣泛應用於社會各個領域,醫學、軍事、通訊、工業,創造了許多新興產業也改變了許多傳統產業。雷射冷卻是利用雷射和原子的相互作用減速原子運動以獲得超低溫度原子的高新技術。溫度的本質是自由運動粒子密度和自由粒子平均動能的度量,粒子運動越快,物體越熱溫度越高;粒子運動越慢,物體溫度越低,為了不斷降溫達到絕對零度,降低自由粒子的運動速度成了唯一的方法。早在20世紀初就發現光對原子有輻射壓力,利用雷射可以加速原子同樣也可以使原子減速。 在現代物理中,許多實驗工作如原子鐘,囚禁原子離子,都需要對粒子進行控制,首先就要放慢它們的速度,提高測量的精度,雷射冷卻廣泛應用於冷原子物理中,這項技術使得操縱和控制單個原子成為可能,也能減少在熱原子中由於原子無規則熱運動與碰撞帶來的測量誤差。 1997年諾貝爾物理學獎頒給了美國華裔物理學家朱棣文、科恩·塔諾基和法國的威廉·菲利普斯,以表彰他們發現了激光冷卻和捕獲原子的方法。2. 如何把原子冷卻下來2.1 多普勒技術-雷射減速原子雷射冷卻涉及光的多普勒效應光的動量原子能階量子化以及原子對光子的隨機吸收。從上世紀七、八十年代以來,科學家就能利用一種叫做多普勒冷卻的技術來冷卻原子。例如用一對相向運動的雷射光束,先將原子至於兩束雷射之間,雷射的頻率要略低於原子吸收光譜線的中心頻率,假設原子向其中一邊的A雷射移動,由於多普勒效應,原子感受到的雷射光束頻率升高,原子吸收來自A雷射的光子的幾率增大,同樣的對於另一邊的B雷射,感受到原子光,如果有上下、左右、前後各個方向的雷射光束就能將朝各個方向移動的原子都減慢速度,達到原子冷卻的目的。所謂多普勒效應,想像一下,當你聽到一個車輛鳴笛,它接近時聲音會高,遠離時聲音會低,這就是多普勒效應。在多普勒冷卻中,原子會因為多普勒效應而變慢,就好像被一個微型「雷射煞車」煞車了一樣。透過這種技術能將原子冷卻到絕對溫度以上1nK。 沿笛卡爾座標系軸向擺放的三對雷射光束 2.2 磁光阱技術-空間束縛原子磁光阱技術透過精密調控磁場和光場之間的相互作用,實現對微觀粒子的精確控制,這裡的「阱」類似於一個位能陷阱,能夠將物質束縛在一個特定的區域。也就是用磁鐵和磁力,將分子或原子囚禁在勢阱中心,任何偏離中心的原子或分子都會受到指向中心的散射力 2.3 亞多普勒冷卻技術-原子能階躍遷因而損失動能多普勒冷卻技術加上磁光阱技術就能實現對原子氣的高效冷卻的同時在空間上對其進行囚禁,並且磁光阱中的冷卻極限遠低於多普勒冷卻極限。由於能量守恆,原子在位能高處動能低,位能低處動能高。當高能階的原子吸收光子躍遷到激發態時,有一定機率自發輻射到基態m_j=-1/2能階,在這過程中,原子釋放的能量大於吸收光子的能量,也就是原子的能量不斷損失,溫度從不斷下降。根據這種冷卻機制,可以得到比多普勒冷卻更低的溫度。 原子上下能階不同磁子能階之間的相對躍遷強度 2.4 熵理論對雷射製冷的理解對於一個系統的冷卻往往需要一個另一個開放系統不斷地將熵抽離,在雷射冷卻中扮演此角色的正是雷射系統。透過將系統的高熵部分移除,同樣可以實現冷凍的任務。蒸發冷卻即透過降低勢阱深度,將高能量原子去除,剩下一部分具有較低動能的原子重新達到熱平衡後,系統的總能量不斷下降,所以溫度也會進一步下降。就像把爐灶內燃燒的木柴抽走,從而降低爐灶的溫度。這一思路也被沿用到更低溫度的方法探索中,如浸潤冷卻,將一個系統「浸潤」在另一個體系中從而將熵轉移,實現更低溫度的降溫。宏觀上理解就是將飲料放入冰水里,達到進一步「冰鎮」的效果。 蒸發冷卻示意圖,高能量粒子溢出後原子團溫度下降 3. 分子雷射冷卻近三十年來,雷射冷卻原子技術一直是物理學科的熱門研究方向之一,將原子系統冷卻到超低溫度並控制其量子態已經在多個領域取得了諸多進展,如冷原子中、玻色-愛因斯坦凝聚、物理精密測量、量子模擬以及量子計算機等等。但在分子層面,與原子相比,分子的自由度更多,擁有更多複雜的內部能階結構,雷射冷卻的方法同樣可以利用到分子冷卻當中。2010年美國耶魯大學的愛德華·舒曼和戴維·德米爾使用了幾項新技術成功將氟化鍶(SrF)冷卻到幾百微開,這是單分子雷射製冷首次達到這樣接近絕對零度的低溫[]。分子的雷射製冷比原子更複雜,原子透過在一定頻率的光場下會因為多普勒效應而逐漸冷卻,利用的是原子和光子的相互作用。但由於分子比原子更重,更難對雷射產生反應,不僅如此分子比起原子擁有更複雜的結構,分子會以原子鍵、旋轉和自旋等方式儲存能量,這讓分子的雷射冷卻難度更高。愛德華和戴維的團隊採用了SrF分子,這種中分子不會在激光下發生振動阻礙製冷,同時他們選用了一束彩色激光,以確保能量會被分子吸收而不是讓分子產生自旋。這項成果意義重大,部分分子存在極性,在超低溫下可視為微小的磁體,可以用來研究量子力學的化學性質。超冷分子具有磁性的特性意味著分子可以透過磁場互相反應,這對量子計算也有重大意義。 SrF的能階結構 2013年,美國實驗天體物理聯合研究所的Ye小組報告了橫向激光冷卻YO(氧化釔)的實驗結果,2014年英國帝國學院的Hinds小組演示了縱向激光對CaF分子的減速和冷卻實驗,還有很多分子如BaH、BaF和YbF也有新的實驗進展。同時也有一些科學研究團隊開始挑戰多原子分子的雷射冷卻,例如美國哈佛大學的Doyle小組以及實現了SrOH的一維雷射冷卻,分子的橫向溫度能降低到750uK。4. 未來前景絕對零度是永遠不可能達到的極限,熱力學第三定律是宇宙的固有法則。但追求絕對零度並不是無意義的,它為我們帶來了意想不到的發現,並讓我們能夠研究粒子間互相作用力的根本原因。在無限逼近絕對零度的時候,各種物質的物理特性都開始發生極大而奇異的變化了,其中許多物理特性對於科學研究來說,具有相當大的價值。基於雷射冷卻技術的冷原子物理的應用原來越廣泛,國際上利用冷原子製造的原子鐘,其精度最高已經達到了要150億年才誤差一秒。冷原子物理成為了基礎物理科學研究的方向之一,英國、加拿大、日本、韓國也都成立了相對應的冷原子物理研究機構。 2018年5月21日,在美國國家航空暨太空總署沃洛普斯飛行基地,安塔瑞斯火箭載著「天鵝座」太空船發射升空。天鵝座太空船上裝載了冰箱大小的冷原子實驗室,價值七千萬美元。耗費如此巨資,就是為了在太空微重力的環境下研究超低溫狀態下原子的量子特性。 空間冷原子鐘 2018年5月21日,攜帶OA-9的天鵝座太空船發射升空 2021年8月中國計量科學研究院發表了一篇小型化磁光阱晶片的方案,採取衍射光柵晶片與原子冷卻俘獲相結合的方案,透過線性光柵對單束入射光進行相位調製,成功實現了晶片尺度下原子的冷卻,為實現磁光阱系統微小型化奠定了堅實基礎。 小型化磁光阱晶片。 (a)傳統四極線圈的概念示意圖。 (b)線圈晶片的概念示意圖。 (c)晶片線圈照片。 (d)晶片線圈穩定電壓和功率表徵。 (e), (f)晶片線圈軸、徑向磁場分佈特性。 雷射冷卻技術一方面向物理極限的更深處探索,一方面不斷簡化實驗系統,朝向更有效率智慧冷凍邁進。對於分子層面的冷卻才剛起步,面對更複雜的分子系統,雷射冷卻方案也在不斷進化,從最早的固定頻率的雙向雷射光束冷卻,到六向雷射光束冷卻,磁光阱約束,到採用彩色雷射減少分子的自旋,雷射冷卻自誕生之初就是人類探索超低溫和量子力學的必經之路。5. 總結 雷射冷卻技術自上世紀七十年代誕生以來,一直是人類探索絕對零度的有力助手,從最初Wineland等人的幾百uK到Phillips實現將鈉原子冷卻到42uK,再到與磁光阱技術相結合,達到nK量級。人類借助雷射這一工具不斷向絕對零度進軍,同時探索超低溫下原子的奇妙特性。另一方面雷射冷卻也是分子冷卻的核心技術,利用雷射探索結構更複雜的雙原子超低溫特性。更低的溫度意味著更小的熱漲落,這為更多量子多體物理領域的科學問題提供了實驗條件。同時未來冷原子物理的發展需要更先進的冷凍技術以及更精確的量子調控能力,雷射冷卻技術未來仍需要不斷發展進步,為人類探索未知指明道路。參考資料[1]http://nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/1997/[2]CJFoot, Atomic physics。 [4]孟祥瑞,蘇國賢,苑震生.原子冷卻技術的發展[J].低溫物理學報,2021,43(01):1-17.DOI:10.13380/j.ltpl.2021.01.001.[5]Shuman, E., Barry, J. & DedMule, NMmol, Nsmol, B. –823 (2010).[6]Liang Chen, Chang-Jiang Huang, Xin-Biao Xu, Yi-Chen Zhang, Dong-Qi Ma, Zheng-Tian Lu, Zhu-Bo Wang, Guang-Jie Chen, Ji-Zhe Zhang, Hong X. Tang, Chun-Hua Dong, Wen Liu, Guo-Yong Xiang, Gugem. lied 17, 034031 – Published 10 March 2022 https://www.steo.com.tw/hot_512705.html 雷射冷卻技術:光與微觀世界的溫度之舞 2025-04-24 2026-04-24
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本文引用自《科儀新知》第二十九卷,作者鄭中緯先生為國立成功大學機械工程博士,現任工業技術研究院南分院雷射應用科技中心經理。

為解決長脈衝雷射因脈衝時間過長,材料加工時會產生顯著熱效應及影響精度問題,國際研究單位已積極投入飛秒雷射之加工技術開發。目前飛秒雷射囿於產能,不易成為量產製程設備,但國際研究方向為開發高精度、高速度之飛秒雷射加工技術,以解決現有技術瓶頸。本文主要針對飛秒雷射之材料加工機制作介紹,並說明飛秒雷射在透明介質材料內部、金屬材料及透明導電薄膜之微細加工的應用。

一、前言

隨著鈦藍寶石 (Ti:sapphire) 飛秒雷射技術的日趨成熟及商品化,飛秒雷射從 1990 年代開始應用於材料加工。飛秒雷射是指雷射脈衝寬度在飛秒 (femtosecond, fs = 10–15s) 數量級,雷射光束透過聚焦可產生極高功率密度,例如脈衝寬度為 120 fs 的飛秒雷射,1 mJ 的脈衝能量就可以在聚焦光斑直徑為 20 µm 的焦點上,單一脈衝產生約 2.7≡10(15次方) W/cm2 的功率密度。如此高的功率密度可以使雷射與材料的交互作用過程產生各種非線性光學效應,使得飛秒雷射加工機制有別於連續或奈秒雷射,可在材料表面及透明材料內部實現極低熱效應及突破光學繞射極限的超精密加工。

1995 年開始有研究發表應用於金屬材料的削除 (ablation),可製作次微米的孔洞,直徑約為聚焦光斑的十分之一,發現熱影響區極小,以及加工機制與長脈衝雷射不同(1)。1996 年則首先有兩篇文獻應用於透明材料內部加工,透過顯微物鏡將飛秒雷射直接聚焦在玻璃內部,可改變材料折射係數或製作光波導(2, 3)。飛秒雷射除了進行材料的削除或改質外,可也透過非線性多光子聚合 (multi-photo polymerization),使得聚焦區域的聚合材料由液體變成固體,可應用於製作形狀特徵小於光學繞射極限的三維微奈米結構(4)。

由於飛秒雷射進行材料加工具有熱影響區極小、加工特徵可小於光學繞射極限及透明材料內部加工等特點,已被公認為相當重要課題,並吸引國際上重要研究單位投入飛秒雷射微加工技術開發。這些研究採用的飛秒雷射源,主要是再生放大鈦藍寶石飛秒雷射。此雷射的振盪器採用鈦藍寶石為增益介質,透過再生放大 (regenerative amplifier),可產生中心波長 800 nm、脈衝能量約 mJ、重複頻率約 kHz 的雷射光束。雖然被驗證可以達到較佳品質加工,但受限於低重複頻率及雷射系統複雜,使得實際應用受到限制。近年則有商品化飛秒光纖雷射推出,其為脈衝能量約 µJ、重複頻率約 MHz 的雷射光束。雖然脈衝能量較低,但只要聚焦後雷射劑量足以進行材料加工,則在高重複頻率下,將可同時提高加工速度及精度,有機會符合業界高產能需求。

二、飛秒雷射之材料加工機制

在不同雷射脈衝寬度照射下,材料若產生能量吸收,主要有線性 (單光子) 及非線性 (多光子) 吸收兩種型式,分別說明如下。

1. 線性吸收

所謂線性吸收,以非金屬材料為例,當入射光子能量大於能隙 (Eg) 時,則原子中的電子就可以吸收光子能量,由價帶躍遷至導帶,如圖 1(a) 所示。透過線性吸收,單光子能量可以造成材料直接被離子化,以電漿雲形式從材料表面噴出,被去除的材料並未歷經高溫熔解和汽化等過程,因此熱效應低,一般將此過程稱為光化學 (photo-chemical)削除。在長脈衝短波長雷射照射下,例如紫外光波長的準分子雷射或倍頻固態雷射,可提供約 4.5-7 eV 的光子能量,針對低能隙材料,如高分子或半導體,材料移除機制以光化學為主,因此可以達到精密加工。但在長脈衝長波長雷射照射下,例如紅外波長的固態雷射,由於入射光子能量小於能隙,無法使電子產生躍遷,此時材料移除機制主要為光熱 (photo-thermal) 加工。以光子能量加熱材料,被去除的材料必須經過固態、液態和氣態的轉換,在熔解過程中材料會形成熔融區,因此產生過大熱影響區而影響加工精度。針對金屬材料,雖然原本在導帶就有自由電子可以吸收雷射能量,但在長脈衝雷射照射下,由於金屬的高熱傳導性,被吸收能量會往聚焦區域四周擴散而產生較大熱影響區,並使周圍材料產生融化現象。一般熱擴散長度可近似為l~ (D-ꭓ )1/2,其中 D 為熱擴散係數、-ꭓL 為雷射脈衝寬度。大多數金屬材料 D 值介於 0.1-1 cm2/s 之間,若透過脈衝寬度 10 ns 的奈秒雷射進行加工,產生的熱擴散長度約0.1-1µm。

圖 1. 線性及非線性吸收示意圖。(a) 線性及 (b) 非線性。

2. 非線性吸收

所謂非線性吸收,需在高功率密度照射下才可以產生,例如大於 1013 W/cm2,此時材料對能量吸收與雷射功率密度的 n 次方呈非線性關係,其中 n為被吸收的光子數。因此超短脈衝雷射,如飛秒雷射才有機會產生非線性吸收,對於長脈衝雷射,無法產生非線性吸收。在飛秒雷射照射下,雖然單光子能量小於材料能隙,但電子仍可以透過非線性吸收而產生躍遷,過程主要有光離子化 (photo- ionization) 及崩落離子化 (avalanche ionization)(5),如圖 1(b) 所示。在光離子化過程,當電子吸收 n個光子能量,使總吸收能量大於能隙時,nhc/入 Eg,則同樣可以由價帶躍遷至導帶,而形成自由電子。在崩落離子化過程,導帶中的自由電子可吸收多個光子而躍遷到更高能階,可以撞擊周圍的原子而產生另外的電子,透過持續的吸收和撞擊,使導帶中的自由電子密度快速成長,當自由電子密度達到臨界值 (約 1021 cm–3) 時,聚焦區域的材料將以電漿雲形式從材料表面噴出,並幾乎帶走原本照射產生的熱量,使得加工區域溫度迅速降低,過程中沒有熱融化現象。要產生崩落離子化,導帶中必須有自由電子存在。針對介質材料,可以在雷射脈衝上升緣期間,透過光離子化機制,使得導帶中產生種子自由電子,在雷射脈衝停止前可以產生崩落離子化。

金屬材料則不同於介質,它原本在導帶就有足夠自由電子可以吸收雷射能量。在飛秒雷射照射下,材料中的自由電子會先吸收光子能量,並迅速轉為電子熱能,此段作用時間約 fs 數量級,遠小於電子熱能傳遞至晶格所需時間 (約 ps 數量級)。因此在雷射脈衝停止時,電子會被加熱到高溫,但晶格仍保持低溫,兩者溫度為非熱平衡狀態,如圖2所示。電子傳遞至晶格的熱能,將使材料表面產生削除。透過兩個溫度熱擴散模型,可以求得每個雷射脈衝削除深度可近似為(6)其中8為光穿透深度,l 為有效熱穿透深度,Fα為材料吸收的雷射劑量,F8、Fl 為雷射劑量閥值。
在不同飛秒雷射劑量照射下,(1)-(2) 兩式將可決定金屬材料的削除速率。剝除深度在低雷射劑量區間 (接近削除劑量閥值),主要受光穿透深度影響,但在高雷射劑量區間,主要受有效熱穿透深度影響。在低雷射劑量區間,材料削除邊緣未發現熱融化層,但在高雷射劑量區間將產生熱效應,使得加工精度降低。雖然飛秒雷射加工在高雷射劑量產生與長脈衝雷射類似之熱效應現象,但兩者在材料移除速率還是有所差異(7)。透過長脈衝雷射加工通常會產生電漿雲遮罩,之後照射的雷射脈衝會被電漿雲吸收及反射,使得雷射能量無法有效照射到材料,因而降低材料移除速度。但對於飛秒雷射而言,電漿噴出時間約在雷射照射後的 1-10 ps 之間形成,此時飛秒雷射脈衝已經停止,材料移除速度較不受此現象影響,因此在深孔成形上被驗證加工精度優於長脈衝雷射。

針對半導體材料,如矽的能隙約 1.14 eV,而鈦藍寶石飛秒雷射產生的單光子能量約 1.55 eV (中心波長 800 nm),因此單光子吸收過程就可以激發電子由價帶躍遷至導帶。透過飛秒雷射加工矽材料,包含線性及非線性吸收兩個機制,如下式所示:

其中 n(t) 為自由電子密度,I(t) 為雷射照射強度,α為線性吸收係數,為雙光子吸收係數。當脈衝功率密度為 1012 W/cm2 時,約是α的 15 倍,因此在飛秒雷射的高強度照射下,半導體材料的加工機制以非線性吸收為主。
圖 3.不同飛秒雷射脈衝能量加工玻璃內部製作之微結構:(a) 低能量、(b) 適中能量及 (c) 高能量(8, 9, 10)。

三、飛秒雷射之材料微細加工的應用

1. 飛秒雷射應用於透明介質材料內部加工

飛秒雷射應用於玻璃、石英、晶體等透明材料內部加工,主要將雷射光束直接聚焦於材料內部,使此局部區域具有高的脈衝功率密度,而產生非線性吸收,其他區域一方面因為材料的透明性,使得線性吸收可以忽略,另一方面則因為脈衝功率密度較低,而無法產生非線性吸收。由於只有聚焦區域進行材料加工,在其他區域並沒有產生破壞,配合掃描機制,可使此技術具有三維加工能力,可應用於光波導、光耦合、光儲存及微流道製作。但與材料削除不同的是,照射的雷射能量不會被帶走,因此產生與削除不同的材料破壞行為,這部分國際學者仍持續研究中,目前歸納主要有三種不同機制來描述此現象,包括等向 (isotropic) 折射率改變(8)、雙折射 (birefringent) 率改變(9) 及空洞 (void) 的產生 (10),如圖 3 所示。

當聚焦的雷射劑量低於材料的削除閥值時,透過多光子吸收,可使聚焦區域的介質融化及快速再固化,如圖 3(a) 所示,並產生折射率變化,此機制可應用於製作光波導。在適中能量照射下會產生週期性奈米結構,如圖 3(b) 所示,推測因為干涉現象導致結構特徵週期性改變。當聚焦的雷射劑量高於材料的削除閥值時,聚焦區域將會由多光子吸收和崩落離子化產生微爆炸,使這些材料往聚焦區域周圍移動,而產生微米擴張現象,如圖 3(c) 所示,產生的空洞可以應用於光學儲存。

圖 4.不同重複頻率之飛秒雷射加工特性:(a) 1 kHz 及(b) 25 MHz。


圖 5. 不同雷射重複頻率下在鈉鈣玻璃內製作光波導(11)。

一般玻璃材料在雷射照射後,將熱能傳遞出去到冷卻的時間約在µs 數量級。當相鄰雷射脈衝時間大於材料冷卻時間,則材料將有足夠時間冷卻到原本加工溫度,如圖 4(a) 所示。以放大型飛秒雷射為例,重複頻率通常為 kHz,相鄰脈衝時間為 ms 數量級,代表相鄰雷射脈衝不會造成熱能量的累積,加工精度則主要受脈衝寬度及脈衝能量影響。但若使用高重複頻率之飛秒雷射進行加工,則雷射重複頻率通常為 MHz 等級,相鄰脈衝時間小於 µs,此時間可能小於材料冷卻時間,如圖 4(b)所示。將造成材料在相鄰雷射脈衝期間溫度無法完全冷卻,但下一個雷射脈衝卻又照射下來,導致雷射照射產生的熱量逐漸累積在加工區域,稱之為熱累積效應 (heat accumulation effect)。此效應使得高重複頻率飛秒雷射加工機制不再是所謂完全冷加工,在玻璃材料內部加工上會在聚焦區域周圍產生熱影響區,產生更大的破壞區域。雖然熱累積效應使得加工範圍改變,但仍可以透過雷射參數控制加工形狀特徵,在一些硬脆材料加工上,熱累積效應可避免材料溫度在相鄰脈衝間反覆變化,具降低熱破裂等特點。

圖 5 為改變不同雷射重複頻率,在鈉鈣玻璃 (soda lime glass) 內製作光波導,照射次數與波導直徑之關係圖(11),可以觀察到當雷射重複頻率 < 1 Mz時,在同一加工點照射次數增加時,波導直徑變化不大。此部分機制如前面介紹,主要透過非線性吸收,使聚焦區域產生折射係數改變,由於相鄰雷射脈衝時間大於一般玻璃材料熱擴散時間,所以不會產生熱累積效應。但當雷射重複頻率 <1 Mz 時,可以觀察到在同一加工點照射次數加大時,波導直徑明顯增加。此現象是因為在高脈衝頻率下,熱累積效應所造成。但此效應使得雷射聚焦區間熱擴散呈現放射狀,製作的光波導截面極為對稱,可降低光傳輸損失。

圖 6. 不同飛秒雷射劑量加工 Ti6Al4V 鈦合金:(a)0.7 J/cm2 與 (b) 2 J/cm2 (12)。


圖 7. 高重複頻率飛秒光纖雷射製作的不同多晶ITO 導線。

2. 飛秒雷射應用於金屬材料削除

一般金屬材料,在雷射照射後將熱能傳遞出去到冷卻的時間約 ps 數量級,即使透過高重複頻率 (MHz 數量級) 之飛秒雷射進行加工,相鄰脈衝時間小於 µs,此時間通常大於金屬材料冷卻時間。因為熱冷卻時間很短,材料在相鄰雷射脈衝間可以快速冷卻,不易出現熱累積效應。圖 6 為透過飛秒雷射針對 Ti6Al4V 鈦合金進行加工,不同雷射劑量下的加工結果圖(12)。由圖 6(b) 可以得知,當照射雷射劑量過高時,會在加工區域周圍發現熱融化現象。主要是因為金屬材料移除在高雷射劑量照射時,材料移除主要受熱穿透深度影響,會產生顯著熱效應。此實驗驗證利用飛秒雷射加工金屬材料,若要達到較佳的加工精度,則雷射劑量不可遠超過此材料的削除劑量閥值。

3. 飛秒雷射應用於透明導電薄膜加工

利用高重複頻率飛秒光纖雷射進行氧化銦錫 (ITO) 透明導電薄膜之圖案加工,在不同雷射能量照射下,可以得到不同圖案線寬,如圖 7 所示。利用飛秒雷射結晶機制,基於明確之材料結晶劑量閥值 Fth,透過控制雷射劑量 F,使光軸附近區域劑量高於 Fth,則可製作小於聚焦光斑之多晶圖案,如圖 8 中線寬 D。

圖 8. 高重複頻率飛秒光纖雷射製作多晶圖案方法。

四、結論

使用飛秒雷射針對金屬、半導體、透明介質和有機組織等材料作加工,已被驗證能達到傳統雷射所不能達到的高品質加工。隨著美國、德國、日本等國家相繼投入飛秒雷射國家重點研究計畫,飛秒雷射與材料之交互作用機制也逐漸明朗化,但受限於放大型飛秒雷射低重複頻率及系統複雜,實際業界應用還是受到限制。透過近幾年商品化的飛秒光纖雷射,雷射源系統簡單及雷射脈衝頻率高,有機會實現高速及高精度加工,使得飛秒雷射微細加工技術受到矚目,並預期能夠應用於業界製程。




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